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参数资料
| 型号： | MRF7P20040HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 488K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
= 150 mA
f
MHz
Max Pout
(1)
Zsource
?
Zload
?
Watts
dBm
1805
35
45.4
2.2 -- j9.3
17.1 -- j7.9
1880
35
45.5
2.3 -- j11.3
14.0 -- j4.2
1930
35
45.5
2.4 -- j13.0
14.7 -- j5.9
2025
35
45.5
3.5 -- j17.3
15.5 -- j8.0
2110
34
45.3
3.8 -- j20.6
15.4 -- j9.3
2200
35
45.5
5.6 -- j25.8
14.4 -- j9.4
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 3 dB gain
compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to
ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to
ground.
Figure 14. Carrier Side Load Pull Performance ?
Maximum P3dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
VDD
=28Vdc,IDQA
= 150 mA
f
MHz
Max Eff.
(1)
%
Zsource
?
Zload
?
1805
66.6
2.2 -- j9.3
17.6 + j9.5
1880
70.1
2.3 -- j11.3
16.1 + j9.8
1930
69.8
2.4 -- j13.0
14.2 + j8.9
2025
67.7
3.5 -- j17.3
13.8 + j6.2
2110
67.9
3.8 -- j20.6
11.5 + j3.9
2200
70.3
5.6 -- j25.8
9.6 -- j0.6
(1) Maximum efficiency measurement reflects pulsed 3 dB gain
compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to
ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to
ground.
Figure 15. Carrier Side Load Pull Performance ?
Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
Input
Load Pull
Tuner
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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