参数资料
型号: MRF7P20040HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 14/16页
文件大小: 488K
描述: MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 2.03GHz
增益: 18.2dB
电压 - 测试: 32V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 150mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780HS-4
供应商设备封装: NI-780HS-4
包装: 带卷 (TR)
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
W--CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
12
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料
PDF描述
MRF7S15100HR5 MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780
MRF7S16150HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S
MRF7S18125AHSR5 MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S
MRF7S18125BHSR5 MOSFET RF N-CH CW 125W NI780
MRF7S18170HSR5 MOSFET RF N-CH NI-880S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF7S15100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S15100HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S15100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S15100HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S15100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray