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参数资料
| 型号： | MT46V2M32LG |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 30/65页 |
| 文件大小： | 2360K |
| 代理商： | MT46V2M32LG |
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30
64Mb: x32 DDR SDRAM
2M32DDR-07.p65
–
Rev. 12/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32
DDR SDRAM
Figure 20
WRITE to READ – Interrupting
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
Bank
a
,
Col
n
READ
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T5n
NOTE
: 1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. An interrupted burst of 4 or 8 is shown; two data elements are written.
3. One subsequent element of data-in is applied in the programmed order following DI
b
.
4.tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
6. DQS is required at T2 and T2n (nominal case) to register DM.
7. If the burst of 8 was used, DM would not be required at T3-T4n because the READ command would
mask the last two data elements.
T1n
T6
T6n
t
WTR
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
n
t
DQSS (MIN)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
t
DQSS (MAX)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
n
DI
n
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
t
DQSS
t
DQSS
t
DQSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V2M32V1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M4-1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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