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参数资料
| 型号： | MT48LC4M16A2 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 52/55页 |
| 文件大小： | 1458K |
| 代理商： | MT48LC4M16A2 |
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52
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
64MSDRAM_F.p65 – Rev. F; Pub. 1/03
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2003, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
ALTERNATING BANK WRITE ACCESSES
1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
t
AH
1
t
AS
1.5
t
CH
2.5
t
CL
2.5
t
CK(3)
6
t
CK(2)
–
t
CKH
1
t
CKS
1.5
t
CMH
1
t
CMS
1.5
MIN MAX
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
10
0.8
1.5
0.8
1.5
MIN MAX UNITS
1
2
3
3
8
10
1
2
1
2
0.8
1.5
2.5
2.5
7
7.5
0.8
1.5
0.8
1.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
DH
t
DS
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
RRD
t
WR
1
0.8
1.5
37
60
15
15
14
0.8
1.5
44
66
20
20
15
1
2
50
70
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–
1.5
42
60
18
18
12
120,000
120,000
120,000
120,000
1 CLK
+ 6ns
1 CLK
+ 7ns
1 CLK
+ 7.5ns
1 CLK
+ 7ns
DON’T CARE
tCH
tCL
tCK
CLK
DQ
D
IN
m
tDH
tDS
D
IN
m
+ 1
D
IN
m
+ 2
D
IN
m
+ 3
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
ACTIVE
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
ACTIVE
WRITE
D
IN
b
tDH
tDS
D
IN
b
+ 1
D
IN
b
+ 3
tDH
tDS
tDH
tDS
ENABLE AUTO PRECHARGE
DQM /
DQML, DQMH
A0-A9, A11
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
ROW
ROW
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
ROW
BANK 0
BANK 0
BANK 1
BANK 0
BANK 1
CKE
tCKH
tCKS
D
IN
b
+ 2
tDH
tDS
COLUMN
b
2
COLUMN
m
2
tRP - BANK 0
tRAS - BANK 0
t
RC - BANK 0
tRCD - BANK 0
t
t
RCD - BANK 0
tWR - BANK 0
WR - BANK 1
tRCD - BANK 1
t
RRD
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. x16: A8, A9 and A11 = “ Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “ Don’t Care”
x4: A11 = “ Don’t Care”
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX UNITS
*CAS latency indicated in parentheses.
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PDF描述 |
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