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参数资料
| 型号： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 32/55页 |
| 文件大小： | 1454K |
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38
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
CLOCK SUSPEND MODE 1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tAC(3)
5.5
5.4
6
ns
tAC(2)
–
5.4
6
ns
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
–
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tDH
1
0.8
1
ns
tDS
1.5
2
ns
tHZ(3)
5.5
5.4
6
ns
tHZ(2)
–
5.4
6
7
ns
tLZ
1111
ns
tOH
2333
ns
*CAS latency indicated in parentheses.
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
DQM /
DQML, DQMH
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
BANK
tDH
DIN e
tAC
tHZ
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
READ
WRITE
DON’T CARE
UNDEFINED
CKE
tCKS tCKH
BANK
COLUMN m
tDS
DIN e + 1
NOP
tCKH
tCKS
tCMH
tCMS
2
COLUMN e2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
NOTE:
1. For this example, the burst length = 2, the CAS latency = 3, and auto precharge is disabled.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
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