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参数资料
| 型号： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 48/55页 |
| 文件大小： | 1454K |
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52
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
ALTERNATING BANK WRITE ACCESSES 1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX MIN MAX
MIN MAX UNITS
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
–
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tDH
1
0.8
1
ns
tDS
1.5
2
ns
tRAS
42
120,000
37
120,000
44
120,000
50
120,000
ns
tRC
60
66
70
ns
tRCD
18
15
20
ns
tRP
18
15
20
ns
tRRD
12
14
15
20
ns
tWR
1 CLK
–
+ 6ns
+ 7ns
+ 7.5ns
+ 7ns
DON’T CARE
tCH
tCL
tCK
CLK
DQ
DIN m
tDH
tDS
DIN m + 1
DIN m + 2
DIN m + 3
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
ACTIVE
WRITE
DIN b
tDH
tDS
DIN b + 1
DIN b + 3
tDH
tDS
tDH
tDS
ENABLE AUTO PRECHARGE
DQM /
DQML, DQMH
A0-A9, A11
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
BANK 0
BANK 1
BANK 0
BANK 1
CKE
tCKH
tCKS
DIN b + 2
tDH
tDS
COLUMN b 2
COLUMN m 2
tRP - BANK 0
tRAS - BANK 0
tRCD - BANK 0
t
RCD - BANK 0
tWR - BANK 0
WR - BANK 1
tRCD - BANK 1
t
RC - BANK 0
RRD
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX
MIN MAX UNITS
*CAS latency indicated in parentheses.
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