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参数资料
| 型号： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 49/55页 |
| 文件大小： | 1454K |
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53
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
WRITE – FULL-PAGE BURST
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tDH
1
0.8
1
ns
tDS
1.5
2
ns
tRCD
18
15
20
ns
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
–
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
tCH
tCL
tCK
tRCD
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
BA0, BA1
A10
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
Full-page burst does
not self-terminate. Can
use BURST TERMINATE
command to stop.2, 3
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
Full page completed
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
BURST TERM
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
DQ
DIN m
tDH
tDS
DIN m + 1
DIN m + 2
DIN m + 3
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
DIN m - 1
tDH
tDS
tDH
tDS
tAH
tAS
BANK
(
)
(
)
(
)
(
)
BANK
tCMH
tCKH
tCKS
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
256 (x16) locations within same row
512 (x8) locations within same row
1,024 (x4) locations within same row
COLUMN m 1
T0
T1
T2
T3
T4
T5
Tn + 1
Tn + 2
Tn + 3
DON’T CARE
*CAS latency indicated in parentheses.
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
NOTE:
1. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
2. tWR must be satisfied prior to PRECHARGE command.
3. Page left open; no tRP.
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