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参数资料
| 型号： | MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 37/55页 |
| 文件大小： | 1454K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页当前第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页
42
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM.pmd – Rev. H; Pub. 12/04
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16
SDRAM
READ – WITH AUTO PRECHARGE 1
TIMING PARAMETERS
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX MIN MAX UNITS
tAC(3)
5.5
5.4
6
ns
tAC(2)
–
5.4
6
ns
tAH
1
0.8
1
ns
tAS
1.5
2
ns
tCH
2.5
3
ns
tCL
2.5
3
ns
tCK(3)
6
7
7.5
8
ns
tCK(2)
–
7.5
10
ns
tCKH
1
0.8
1
ns
tCKS
1.5
2
ns
tCMH
1
0.8
1
ns
tCMS
1.5
2
ns
tHZ(3)
5.5
5.4
6
ns
tHZ(2)
–
5.4
6
ns
tLZ
1
ns
tOH
2
3
ns
tRAS
42
120,000
37 120,000
44 120,000
50
120,000
ns
tRC
60
66
70
ns
tRCD
18
15
20
ns
tRP
18
15
20
ns
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
DON’T CARE
UNDEFINED
tHZ
tOH
DOUT m + 3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m + 2
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
NOP
tCKH
tCKS
COLUMN m 2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
*CAS latency indicated in parentheses.
-6
-7E
-75
-8E
SYMBOL* MIN MAX MIN MAX
MIN MAX MIN MAX UNITS
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, and the CAS latency = 2.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
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