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参数资料
| 型号： | NCP1608BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 23/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PFC CTLR/PRECONVERTER 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 模式： | 临界传导（CRM） |
| 电流 - 启动： | 24µA |
| 电源电压： | 10.2 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP1608BDR2GOSDKR |
NCP1608
BOOST DESIGN EQUATIONS Components are identified in Figure 1 (Continued)
Output Voltage UVP
Detection
V out(UVP) + V UVP @ R out1 @
R out2 ) R FB
R out2 @ R FB
) 1
V UVP is shown in the specification
table.
Inductor rms Current
I L(RMS) +
2 @ P out
3 @ Vac @ h
Output Diode rms
Current
3
I D(RMS) + 4 @
2 @ 2
p
@
P out
h @ Vac @ V out
I M(RMS) + 2 @
MOSFET rms Current
3
P out
h @ Vac
@
1 *
2 @ 8 @ Vac
3 @ p @ V out
Current Sense Resistor
R sense +
V ILIM
I L(peak)
V ILIM is shown in the specification
table.
P R
sense
+ I M(RMS) 2 @ R sense
Type 1 Compensation
C COMP +
gm
2 @ p @ f CROSS
Where f CROSS is the crossover fre-
quency and is typically less than
20 Hz. gm is shown in the specifica-
tion table.
http://onsemi.com
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