参数资料
| 型号： | NCP4330DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER POST REGULATION 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 输出隔离： | 非隔离 |
| 频率范围： | 达 400kHz |
| 输入电压： | 5.2 V ~ 20 V |
| 输出电压： | 0.9 V ~ 23.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP4330DR2GOSCT |
NCP4330
High ? Side Driver Stage
The high ? side turn on (turn off) is 100 ns delayed behind
the low ? side turn off (turn on).
The high ? side drive is designed to drive on and off
1. High ? Side Turn On:
As portrayed by in figure 30, the high ? side turn on is a
“hard” switching (large dV/dt and dI/dt).
The necessary current capability is then:
12.5 nC gate charge power MOSFET, in 25 ns typical.
Ihs * on +
12.5 nC
25 ns
, that is 500 mA.
vin1
8.00
80.0
0
16.0
40.0
Vin
4.00
60.0
? 80.0
12.0
20.0
lind
i(l1)
hs_drv
HS_DRV
0
40.0
? 160
8.00
0
? 4.00
20.0
? 240
4.00
? 20.0
ihs
V Q
I Q
? 8.00
0
? 320
0
? 40.0
4.4990 M
4.4995 M
4.5000 M
4.5005 M
4.5010 M
vdshs
Time in Secs
Figure 30. High ? Side MOSFET Turn On
http://onsemi.com
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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