参数资料
型号: NCP4330DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 15/17页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER POST REGULATION 8-SOIC
标准包装: 1
输出隔离: 非隔离
频率范围: 达 400kHz
输入电压: 5.2 V ~ 20 V
输出电压: 0.9 V ~ 23.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NCP4330DR2GOSCT
NCP4330
APPLICATIONS INFORMATION
Figure 32. Typical Application
The maximum value (V M ) of the pulsed input voltage (V IN ) must be kept lower than the maximum source ? gate voltage the HS MOSFET
can sustain
http://onsemi.com
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PDF描述
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