参数资料
型号: NCP4330DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 16/17页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER POST REGULATION 8-SOIC
标准包装: 1
输出隔离: 非隔离
频率范围: 达 400kHz
输入电压: 5.2 V ~ 20 V
输出电压: 0.9 V ~ 23.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NCP4330DR2GOSCT
NCP4330
If the input voltage may exceed the maximum source ? gate
voltage the HS MOSFET can sustain, an intermediary stage
should be inserted between the NCP4330 and the HS
MOSFET. Figure 33 presents a solution consisting of a
D4
diode, a PNP and a resistor (in the range of 500 W ) . The HS
MOSFET is normally turned on through the diode while the
PNP Q2 enables to drive the MOSFET between gate and
source at turn off.
V IN
HS MOSFET
R9
Q2
NCP4330
1
BST 2
RST 3
C_ramp 4
8
7
6 V DD
5 I_ramp
Figure 33.
http://onsemi.com
16
LS MOSFET
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