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参数资料
| 型号： | NT5DS64M8BF-6KI |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA60 |
| 封装： | 1 MM PITCH, WBGA-60 |
| 文件页数： | 14/79页 |
| 文件大小： | 6238K |
| 代理商： | NT5DS64M8BF-6KI |
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NT5DS128M4BF
NT5DS128M4BT
NT5DS128M4BG
NT5DS128M4BS
NT5DS64M8BF
NT5DS64M8BT
NT5DS64M8BG
NT5DS64M8BS
NT5DS32M16BF
NT5DS32M16BT
NT5DS32M16BG
NT5DS32M16BS
512Mb DDR SDRAM
REV 1.3
11/2007
21
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Operations
Bank/Row Activation
Before any Read or Write commands can be issued to a bank within the DDR SDRAM, a row in that bank must be “opened”
(activated). This is accomplished via the Active command and addresses A0-A12, BA0 and BA1 (see Activating a Specific Row
in a Specific Bank), which decode and select both the bank and the row to be activated. After opening a row (issuing an Active
command), a Read or Write command may be issued to that row, subject to the tRCD specification. A subsequent Active com-
mand to a different row in the same bank can only be issued after the previous active row has been “closed” (precharged). The
minimum time interval between successive Active commands to the same bank is defined by tRC. A subsequent Active com-
mand to another bank can be issued while the first bank is being accessed, which results in a reduction of total row-access
overhead. The minimum time interval between successive Active commands to different banks is defined by tRRD.
Activating a Specific Row in a Specific Bank
RA
BA
HIGH
RA = row address.
BA = bank address.
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A12
BA0, BA1
Don’t Care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5SE8M16DS-6K | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| NT5SV8M8DT-7 | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| NTC1111-20MHZ | Analog IC |
| NTC1111-SERIES | Analog IC |
| NTC1120-12.8MHZ | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NT5S10001BA20 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| NT5S10001FA20 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| NT5S10002BA20 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 100K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| NT5S131R6BA20 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 131U6 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
| NT5S15000FA20 | 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 1K5 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk |
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