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参数资料
型号： NT5DS64M8BF-6KI
厂商： NANYA TECHNOLOGY CORP
元件分类： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封装： 1 MM PITCH, WBGA-60
文件页数： 16/79页
文件大小： 6238K
代理商： NT5DS64M8BF-6KI
NT5DS128M4BF
NT5DS128M4BT
NT5DS128M4BG
NT5DS128M4BS
NT5DS64M8BF
NT5DS64M8BT
NT5DS64M8BG
NT5DS64M8BS
NT5DS32M16BF
NT5DS32M16BT
NT5DS32M16BG
NT5DS32M16BS
512Mb DDR SDRAM
REV 1.3
11/2007
23
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Read Command
BA
HIGH
CA = column address
BA = bank address
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
BA0, BA1
Don’t Care
CA
x4: A0-A9, A11
x8: A0-A9
EN AP
DIS AP
EN AP = enable Auto Precharge
DIS AP = disable Auto Precharge
CK
相关PDF资料
PDF描述
NT5SE8M16DS-6K 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
NT5SV8M8DT-7 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
NTC1111-20MHZ Analog IC
NTC1111-SERIES Analog IC
NTC1120-12.8MHZ Analog IC
相关代理商/技术参数
参数描述
NT5S10001BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S10001FA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S10002BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 100K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S131R6BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 131U6 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S15000FA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 1K5 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
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