参数资料
型号: NT5DS64M8BF-6KI
厂商: NANYA TECHNOLOGY CORP
元件分类: DRAM
英文描述: DDR DRAM, PBGA60
封装: 1 MM PITCH, WBGA-60
文件页数: 17/79页
文件大小: 6238K
代理商: NT5DS64M8BF-6KI
NT5DS128M4BF
NT5DS128M4BT
NT5DS128M4BG
NT5DS128M4BS
NT5DS64M8BF
NT5DS64M8BT
NT5DS64M8BG
NT5DS64M8BS
NT5DS32M16BF
NT5DS32M16BT
NT5DS32M16BG
NT5DS32M16BS
512Mb DDR SDRAM
REV 1.3
11/2007
24
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Read Burst: CAS Latencies (Burst Length = 4)
CAS Latency = 2
NOP
Read
CK
Command
Address
DQS
DQ
CAS Latency = 2.5
Don’t Care
BA a,COL n
DOa-n
CL=2.5
NOP
Read
CK
Command
Address
DQS
DQ
BA a,COL n
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
CL=2
QFC
tQCS
tQCH
(Optional)
tQCH
(Optional)
tQCS
QFC is an open drain driver. The output high level is achieved through an external pull up resistor connected to VDDQ.
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PDF描述
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NTC1111-20MHZ Analog IC
NTC1111-SERIES Analog IC
NTC1120-12.8MHZ Analog IC
相关代理商/技术参数
参数描述
NT5S10001BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S10001FA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 10K 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S10002BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 100K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S131R6BA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 131U6 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk
NT5S15000FA20 功能描述:金属膜电阻器 - 透孔 NT5 S 1K5 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 电阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率额定值:100 mW 电压额定值:200 V 温度系数:100 PPM / C 端接类型:Axial 工作温度范围: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封装:Bulk