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参数资料
| 型号： | NTD50N03RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Sept/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 30A，11.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD50N03R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn?On Delay Time
t d(on)
8.2
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V,
I D = 30 A, R G = 3.0 W
9.6
11.2
6.8
Turn?On Delay Time
t d(on)
5.0
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 30 A, R G = 3.0 W
84
15
4.0
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTIC S
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
T J = 25 ° C
0.85
1.1
V
I S = 30 A
T J = 125 ° C
0.71
Reverse Recovery Time
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t RR
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
24
14
10.5
14
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
2.49
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
L D
L G
R G
Ta = 25C
0.02
3.46
3.75
nH
W
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD5407NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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