参数资料
型号: NTD50N03RT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 30/Sept/2009
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 30A,11.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 11.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 12V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
NTD50N03R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C?01
ISSUE O
B
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
R
E
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
0.235 0.245
5.97 6.22
S
1
4
2
3
A
Z
B
C
D
E
F
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.14
K
U
G
H
J
K
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
4.58 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
2.60 2.89
F
L
J
H
L
R
S
U
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020 ???
2.29 BSC
4.57 5.45
0.63 1.01
0.51 ???
G
D
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
V
Z
0.035 0.050
0.155 ???
0.89 1.27
3.93 ???
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6 .17 2
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
DPAK
CASE 369D?01
ISSUE B
B
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
V
R
E
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
MILLIMETERS
S
1
4
2
3
A
Z
DIM
A
B
C
D
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
E
0.018 0.023
0.46 0.58
?T?
SEATING
PLANE
K
F
G
H
J
K
R
0.037 0.045
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.350 0.380
0.180 0.215
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
F
J
H
S
V
Z
0.025 0.040
0.035 0.050
0.155 ???
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
G
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
http://onsemi.com
7
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