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参数资料
| 型号： | NTD50N03RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Sept/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 30A，11.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD50N03R
1000
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
16
16
800
600
C iss
C rss
C iss
12
V DS
Q T
V GS
12
400
8
8
C oss
Q GS
Q GD
200
0
C rss
4
0
I D = 30 A
T J = 25 ° C
4
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
20
10
1
V DS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
t r
t d(off)
t d(on)
t f
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
SINGLE PULSE
V GS = 20 V
T C = 25 ° C
10 m s
100
100 m s
10
R DS(on) LIMIT
1 ms
10 ms
1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5413NT4G | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5406N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5406NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5406NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5407N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5407NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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