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参数资料
| 型号： | NTD5413NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5413N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
80
10 V
7V
T J = 25 ° C
80
V DS ≥ 10 V
60
40
6V
60
40
T J = 125 ° C
20
5V
20
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
V GS = 4.8 V
4
5
0
3
4
5
T J = ? 55 ° C
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.050
0.045
0.040
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.028
0.026
0.024
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.022
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.005
5
6
7
8
9
10
0.010
10
20
30
40
50
60
2.4
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.2
2
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55 60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5414NT4G | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| NTD5802NT4G | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| NTD5803NT4G | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK |
| NTD5804NT4G | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK |
| NTD5805NT4G | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5414N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK |
| NTD5414NT4G | 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 42mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD560 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220 |
| NTD565 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 |
| NTD568 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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