- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD5413NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD5413NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5413N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
D = 0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
Single Pulse
Surface ? Mounted on FR4 Board using 1 sq in pad size, 1 oz Cu
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5414NT4G | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| NTD5802NT4G | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| NTD5803NT4G | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK |
| NTD5804NT4G | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK |
| NTD5805NT4G | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5414N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK |
| NTD5414NT4G | 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 42mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD560 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220 |
| NTD565 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 |
| NTD568 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。