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参数资料
| 型号： | NTGD3147FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD3147F
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 10 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.32
0.36
0.04
0.21
Max
0.4
0.45
1.0
5.0
Unit
V
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 75 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 10 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.27
0.31
0.77
2.65
Max
Unit
V
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 125 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 10 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.22
0.27
8.75
37.37
Max
Unit
V
mA
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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