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参数资料
| 型号： | NTGD3148NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD3148NT1GOSDKR |
NTGD3148N
5
6
5
2.4 V - 3.0 V
2.2 V
V GS = 2.0 V
4
V DS ≥ 10 V
4
4.5 V
1.8 V
3
T J = 125 ° C
3
2
2
1.6 V
T J = 25 ° C
1
0
1.4 V
1
0
T J = -55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.08
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.38
0.34
0.3
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0.07
0.06
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.26
0.05
0.22
0.18
0.14
0.1
0.06
0.02
0.04
0.03
0.02
0.01
0
V GS = 4.5 V
1
2
3 4
5
6
2
3
4 5
6
7
1.5
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
1000
100
10
T J = 125 ° C
T J = 150 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
7
12
17
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation vs.
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGD3149CT1G | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP |
| NTGD4161PT1G | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP |
| NTGD4167CT1G | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS1135PT1G | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGD3149C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.5/−2.7 A, TSOP−6 Dual |
| NTGD3149CT1G | 功能描述:MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGD4161P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6 |
| NTGD4161P_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6 |
| NTGD4161PT1G | 功能描述:MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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