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参数资料
| 型号： | NTGD3148NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD3148NT1GOSDKR |
NTGD3148N
400
4.5
350
300
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
3.5
QT
250
3
2.5
200
2
Q 1
Q 2
150
100
50
0
C oss
C rss
1.5
1
0.5
0
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 10 V
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
3
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
2
1.5
t d(on)
1
0.5
1
t f
0
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGD3149CT1G | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP |
| NTGD4161PT1G | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP |
| NTGD4167CT1G | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS1135PT1G | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGD3149C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.5/−2.7 A, TSOP−6 Dual |
| NTGD3149CT1G | 功能描述:MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGD4161P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6 |
| NTGD4161P_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6 |
| NTGD4161PT1G | 功能描述:MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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