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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET ]
CASE 1206A?03
ISSUE G
D
q
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
H E
8
1
7
2
6
3
5
4
E
L
5
4
6
3
7
2
8
1
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
MILLIMETERS
INCHES
DIM
MIN
NOM MAX
MIN
NOM
MAX
e1
e
b
A
c
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SOURCE 1
GATE 1
SOURCE 2
GATE 2
DRAIN 2
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
A
b
c
D
E
e
e1
L
H E
q
1.00 1.05 1.10
0.25 0.30 0.35
0.10 0.15 0.20
2.95 3.05 3.10
1.55 1.65 1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28 0.35 0.42
1.80 1.90 2.00
5 ° NOM
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
0.011
0.071
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.075
5 ° NOM
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
0.05 (0.002)
SOLDERING FOOTPRINT*
0.45 7
0.018
2.03 2
0.08
2.03 2
0.08
0.63 5
0.025
0.63 5
0.025
1.09 2
0.043
0.17 8
0.007
0.45 7
0.018
0.66
0.026
0.711
0.028
SCALE 20:1
mm
inches
0.66
0.026
0.25 4
0.010
SCALE 20:1
mm
inches
Basic
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
10
Style 2
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PDF描述 |
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