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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
TYPICAL P?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
V GS = ?8 V to ?4 V
T J = 25 ° C
8
6
4
?2 V
?1.8 V
?1.6 V
?1.4 V
6
4
2
?1.2 V
2
25 ° C
0
?1.0 V
0
125 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.1
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. On?Region Characteristics
0.16
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Transfer Characteristics
0.09
0.08
V GS = ?4.5 V
T J = 125 ° C
0.14
0.12
V GS = ?2.5 V
T J = 125 ° C
0.07
0.06
0.05
0.04
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.10
0.08
0.06
0.04
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0.1
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 14. On?Resistance vs. Drain Current
1.6
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 15. On?Resistance vs. Drain Current
and Temperature
0.09
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
1.4
I D = ?4 A
V GS = ?4.5 V
0.08
1.2
0.07
V GS = ?4.5 V
1.0
0.06
0.05
0.04
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 16. On?Resistance vs. Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
7
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