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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
TYPICAL N?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
3
2
1
0.1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
I D = 4.4 A
T J = 25 ° C
0.01
0
2
4
6
8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.2
0.1
0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
I D = 250 m A
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
100
t r
t d(off)
?0.1
10
t f
t d(on)
?0.2
?0.3
V DS = 10 V
I D = 4.4 A
?0.4
1
V GS = 4.5 V
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Threshold Voltage
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
800
600
400
200
0
C RSS
C ISS
C OSS
0
5
10
15
20
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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