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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
N
P
N
V GS = 0 V, T J = 25 ° C
I S = 1.7 A
I S = ?1.7 A
I S = 1.7 A
0.68
?0.7
13.5
1.2
?1.2
V
ns
P
I S = ?1.7 A
12.6
Charge Time
t a
N
I S = 1.7 A
8.6
Discharge Time
t b
P
N
V GS = 0 V,
dI S / dt = 100 A/ m s
I S = ?1.7 A
I S = 1.7 A
8.4
4.9
P
I S = ?1.7 A
4.2
Reverse Recovery Charge
Q RR
N
I S = 1.7 A
7.0
nC
P
http://onsemi.com
4
I S = ?1.7 A
6.0
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PDF描述 |
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