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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
PDM
1. Duty Cycle, D = t
2. Per Unit Base = R thJA = 90 ° C/W
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
t1
t2
t1
2
3. T JM ? T A = P DM Z q JA(t)
4. Surface Mounted
10 1
10 ?4
10 ?3
10 ?2
?1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 23. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTHD3102CT1G
Device
Package
ChipFET
Shipping ?
3000 Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specification Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
9
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