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参数资料
| 型号： | NTHD3102CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD3102CT1GOSDKR |
NTHD3102C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
N
P
V GS = V DS
I D = 250 m A
I D = ?250 m A
0.4
?0.4
1.2
?1.2
V
Drain?to?Source On Resistance
R DS(on)
N
V GS = 4.5 V , I D = 4.4 A
29
45
m W
P
N
P
N
P
V GS = ?4.5 V , I D = ?3.2 A
V GS = 2.5 V , I D = 4.1 A
V GS = ?2.5 V, I D = ?2.5 A
V GS = 1.8 V , I D = 1.9 A
V GS = ?1.8 V, I D = ?0.6 A
64
37
83
48
105
80
50
110
70
150
Forward Transconductance
g FS
N
V DS = 10 V, I D = 4.4 A
7.7
S
P
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
V DS = ?10 V , I D = ?3.2 A
5.9
Input Capacitance
C ISS
N
V DS = 10 V
510
pF
P
V DS = ?10 V
650
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
N
P
N
f = 1.0 MHz, V GS = 0 V
V DS = 10 V
V DS = ?10 V
V DS = 10 V
100
100
50
P
V DS = ?10 V
50
Total Gate Charge
Q G(TOT)
N
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 4.4 A
5.8
7.9
nC
P
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?3.2 A
6.6
8.9
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
N
P
N
P
N
P
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 4.4 A
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?3.2 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 4.4 A
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?3.2 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 4.4 A
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?3.2 A
0.96
0.98
1.2
1.4
1.56
1.64
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn?On Delay Time
t d(ON)
7.2
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
N
P
V GS = 4.5 V, V DD = 10 V,
I D = 4.4 A, R G = 2.5 W
V GS = ?4.5 V, V DD = ?10 V,
I D = ?3.2 A, R G = 2.5 W
15.9
15.7
4.6
6.4
16.9
16.4
15.0
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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