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参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 15/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
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SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
Revision History
NOTE: Page numbers for previous revisions may differ from page numbers in the current version.
Changes from Revision A (March, 2009) to Revision B ................................................................................................. Page
Removed footnote and table markings regarding SOT23-5 package availabilty................................................................... 2
Removed lead temperature specification from Absolute Maximum Ratings table ................................................................ 2
Added DRB package to test condition for Input Offset Voltage parameter, T
A = –40°C to +85°C........................................ 3
Added performance specifications for Input Offset Voltage parameter, DBV package......................................................... 3
Added performance specifications for Average Offset Voltage Drift parameter, DBV package............................................ 3
Added footnote (2) to Electrical Characteristics (V
S = ±6V) table.......................................................................................... 3
Added paragraph (f) to the Board Layout section................................................................................................................ 18
Added PowerPAD Information section............................................................................................................................. 18
Changes from Original (December, 2008) to Revision A ............................................................................................... Page
Changed ordering information for SOT23-5 (DBV) package and added footnote; availability expected 2Q 2009 ............... 2
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Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| EBC08DRTS-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| 1-1589455-3 | CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN |
| VI-B7Y-EW | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W |
| RCC05DRXS-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
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