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参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 29/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
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TYPICAL CHARACTERISTICS
4
2
0
2
4
6
8
10
12
14
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-
NormalizedSignalGain(dB)
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency(Hz)
G=+5V/V
G=+10V/V
G=+2V/V
G= +1V/V
V = 6.0V
R =100
V =200mV
S
L
O
PP
W
±
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NormalizedSignalGain(dB)
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency(Hz)
G=+5V/V
G=+10V/V
G=+2V/V
G= +1V/V
V = 6.0V
R =100
V =2V
S
L
O
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NormalizedSignalGain(dB)
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency(Hz)
G=+5V/V
G=+10V/V
G=+2V/V
G= +1V/V
V = 6.0V
R =100
V =6V
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Frequency(Hz)
G= 5V/V
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G= 10V/V
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G= 2V/V
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G= 1V/V
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R =100
V =200mV
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G= 5V/V
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G= 10V/V
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G= 2V/V
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G= 1V/V
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V = 6.0V
R =100
V =2V
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NormalizedSignalGain(dB)
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1M
10M
100M
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Frequency(Hz)
G= 5V/V
-
G= 10V/V
-
G= 2V/V
-
G= 1V/V
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V = 6.0V
R =100
V =6V
S
L
O
PP
W
±
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
NONINVERTING SMALL-SIGNAL FREQUENCY RESPONSE
NONINVERTING LARGE-SIGNAL FREQUENCY RESPONSE
(VO = 200mVPP)
(VO = 2VPP)
Figure 1.
Figure 2.
NONINVERTING LARGE-SIGNAL FREQUENCY RESPONSE
INVERTING SMALL-SIGNAL FREQUENCY RESPONSE
(VO = 6VPP)
(VO = 200mVPP)
Figure 3.
Figure 4.
INVERTING LARGE-SIGNAL FREQUENCY RESPONSE
(VO = 2VPP)
(VO = 6VPP)
Figure 5.
Figure 6.
6
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
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