- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录16980 > OPA659EVM (Texas Instruments)EVAL MODULE FOR OPA659 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 32/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页
3
2
1
0
1
2
3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
S
L
W
±
-
40
50
60
70
80
90
100
-
IntermodulationDistortion(dBc)
0
50
100
150
Frequency(MHz)
Second-Order
Third-Order
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
Two-Tone,1MHzSpacing
1V
EachTone
S
L
W
±
PP
3
2
1
0
1
2
3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain= 2V/V
S
L
W
-
±
1000
100
10
1
Input-ReferredV
oltageNoise(nV/
)
Input-ReferredCurrentNoise(fA/
Hz
)
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency(Hz)
6
Input-Referred
VoltageNoise
Input-Referred
CurrentNoise
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CMRR,PSRR(dB)
100k
1M
10M
100M
Frequency(Hz)
+PSRR
-
PSRR
CMRR
100
10
1
R
(
)
W
ISO
10
100
1000
CapacitiveLoad(pF)
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
TWO-TONE, SECOND- AND THIRD-ORDER IMD
vs FREQUENCY
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = +2V/V)
Figure 19.
Figure 20.
INPUT-REFERRED VOLTAGE AND CURRENT NOISE
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = –2V/V)
DENSITY
Figure 21.
Figure 22.
COMMON-MODE REJECTION RATIO AND
POWER-SUPPLY REJECTION RATIO
RECOMMENDED RISO
vs FREQUENCY
vs CAPACITIVE LOAD (RLOAD = 1k)
Figure 23.
Figure 24.
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
9
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| EBC08DRTS-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| 1-1589455-3 | CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN |
| VI-B7Y-EW | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W |
| RCC05DRXS-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。