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参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 6/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
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=
1
2 R C
p
F
GBP
4 R C
p
F
D
(1)
GBP
2 R C
p
F
D
f
=
-
3dB
(2)
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
To achieve a maximally flat second-order Butterworth
turn requires a total feedback capacitance of 0.46pF.
frequency response, the feedback pole should be set
Typical surface mount resistors have a parasitic
to:
capacitance of 0.2pF, leaving the required 0.26pF
value to achieve the required feedback pole. This
calculation gives an approximate 4.9MHz, –3dB
bandwidth computed by:
For
example,
adding
the
common
mode
and
differential mode input capacitance (0.7 + 2.8 =
3.5)pF
to
the
diode
source
with
the
20pF
capacitance, and targeting a 100k
transimpedance
Table 3 lists the calculated component values and
gain using the 350MHz GBP for the OPA659,
–3dB bandwidths for various TIA gains and diode
requires a feedback pole set to 3.44MHz. This pole in
capacitance.
Table 3. OPA659 TIA Component Values and Bandwidth for Various Diode Capacitance and Gains
CDIODE = 10pF
CD
RF
CF
f–3dB
13.5 pF
1k
3.50pF
64.24MHz
13.5 pF
10k
1.11pF
20.31MHz
13.5 pF
100k
0.35pF
6.42MHz
13.5 pF
1M
0.11pF
2.03MHz
CDIODE = 20pF
23.5 pF
1k
4.62pF
48.69MHz
23.5 pF
10k
1.46pF
15.40MHz
23.5 pF
100k
0.46pF
4.87MHz
23.5 pF
1M
0.15pF
1.54MHz
CDIODE = 50pF
53.5 pF
1k
6.98pF
32.27MHz
53.5 pF
10k
2.21pF
10.20MHz
53.5 pF
100k
0.70pF
3.23MHz
53.5 pF
1M
0.22pF
1.02MHz
CDIODE = 100pF
103.5 pF
1k
9.70pF
23.20MHz
103.5 pF
10k
3.07pF
7.34MHz
103.5 pF
100k
0.97pF
2.32MHz
103.5 pF
1M
0.31pF
0.73MHz
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Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| EBC08DRTS-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| 1-1589455-3 | CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN |
| VI-B7Y-EW | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W |
| RCC05DRXS-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
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