- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录16980 > OPA659EVM (Texas Instruments)EVAL MODULE FOR OPA659 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 31/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页
-
50
60
70
80
90
100
110
-
HarmonicDistortion(dBc)
1
10
100
Frequency(MHz)
Third
Harmonic
Second
Harmonic
V = 6.0V
G=1V/V
R =0
R =100
S
F
L
PP
W
V
=2V
OUT
±
-
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
-
HarmonicDistortion(dBc)
0
2
4
6
8
10
NoninvertingGain(V/V)
Third
Harmonic
Second
Harmonic
V = 6.0V
R =100
S
L
PP
W
V
=2V
f=10MHz
OUT
±
-
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
-
HarmonicDistortion(dBc)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1k
R
( )
W
LOAD
Third
Harmonic
Second
Harmonic
V = 6.0V
Gain=1V/V
R =0
S
F
PP
W
V
=2V
f=10MHz
OUT
±
-
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
-
HarmonicDistortion(dBc)
0
2
4
6
8
10
InvertingGain(V/V)
Third
Harmonic
Second
Harmonic
V = 6.0V
R =100
S
L
PP
W
V
=2V
f=10MHz
OUT
±
-
50
60
70
80
90
100
110
-
HarmonicDistortion(dBc)
0
2
4
6
V
(V )
OUT
PP
Third
Harmonic
Second
Harmonic
V = 6.0V
Gain=1V/V
R =0
S
F
W
R =100
f=10MHz
L
W
±
6
-
70
75
80
85
90
95
100
105
110
-
HarmonicDistortion(dBc)
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
±
SupplyVoltage(V)
6
Third
Harmonic
Second
Harmonic
f=10MHz
V
=
OUT
PP
Gain=+2V/V
R =100
L
W
2V
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
HARMONIC DISTORTION vs NONINVERTING GAIN
HARMONIC DISTORTION vs FREQUENCY
AT 10MHz
Figure 13.
Figure 14.
HARMONIC DISTORTION vs INVERTING GAIN
HARMONIC DISTORTION vs LOAD RESISTANCE
AT 10MHz
Figure 15.
Figure 16.
HARMONIC DISTORTION
HARMONIC DISTORTION vs OUTPUT VOLTAGE
vs ±SUPPLY VOLTAGE
Figure 17.
Figure 18.
8
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| EBC08DRTS-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| 1-1589455-3 | CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN |
| VI-B7Y-EW | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W |
| RCC05DRXS-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。