参数资料
型号: OPA659EVM
厂商: Texas Instruments
文件页数: 18/32页
文件大小: 0K
描述: EVAL MODULE FOR OPA659
标准包装: 1
每 IC 通道数: 1 - 单
放大器类型: J-FET
转换速率: 2550 V/µs
-3db带宽: 650MHz
电流 - 输出 / 通道: 70mA
工作温度: -40°C ~ 85°C
电流供应(主 IC): 32mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±3.5 V ~ 6.5 V
板类型: 完全填充
已供物品:
已用 IC / 零件: OPA659
其它名称: 296-30974
OPA659EVM-ND
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package
Type
Package
Drawing
Pins
SPQ
Reel
Diameter
(mm)
Reel
Width
W1 (mm)
A0
(mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
W
(mm)
Pin1
Quadrant
OPA659IDBVR
SOT-23
DBV
5
3000
180.0
8.4
3.2
3.1
1.39
4.0
8.0
Q3
OPA659IDBVT
SOT-23
DBV
5
250
180.0
8.4
3.2
3.1
1.39
4.0
8.0
Q3
OPA659IDRBR
SON
DRB
8
3000
330.0
12.4
3.3
1.1
8.0
12.0
Q2
OPA659IDRBT
SON
DRB
8
250
180.0
12.4
3.3
1.1
8.0
12.0
Q2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
11-Oct-2013
Pack Materials-Page 1
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PDF描述
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参数描述
OPA659IDBVR 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
OPA659IDBVT 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
OPA659IDRBR 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8