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参数资料
| 型号： | OPA659EVM |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 28/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR OPA659 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | OPA659 |
| 其它名称： | 296-30974 OPA659EVM-ND |
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TYPICAL CHARACTERISTICS
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
Table of Graphs
TITLE
FIGURE
Noninverting Small-Signal Frequency Response
VO = 200mVPP
Noninverting Large-Signal Frequency Response
VO = 2VPP
Noninverting Large-Signal Frequency Response
VO = 6VPP
Inverting Small-Signal Frequency Response
VO = 200mVPP
Inverting Large-Signal Frequency Response
VO = 2VPP
Inverting Large-Signal Frequency Response
VO = 6VPP
Noninverting Transient Response
0.5V Step
Noninverting Transient Response
2V Step
Noninverting Transient Response
5V Step
Inverting Transient Response
0.5V Step
Inverting Transient Response
2V Step
Inverting Transient Response
5V Step
Harmonic Distortion vs Frequency
Harmonic Distortion vs Noninverting Gain
Harmonic Distortion vs Inverting Gain
Harmonic Distortion vs Load Resistance
Harmonic Distortion vs Output Voltage
Harmonic Distortion vs ±Supply Voltage
Two-Tone, Second- and Third-Order Intermodulation Distortion vs Frequency
Overdrive Recovery
Gain = +2V/V
Overdrive Recovery
Gain = –2V/V
Input-Referred Voltage Spectral Noise Density
Common-Mode Rejection Ratio and Power-Supply Rejection Ratio vs Frequency
Recommended RISO vs Capacitive Load
Frequency Response vs Capacitive Load
Open-Loop Gain and Phase
Closed-Loop Output Impedance vs Frequency
Transimpedance Gain vs Frequency
CD = 10pF
Transimpedance Gain vs Frequency
CD = 22pF
Transimpedance Gain vs Frequency
CD = 47pF
Transimpedance Gain vs Frequency
CD = 100pF
Maximum/Minimum ±VOUT vs RLOAD
Slew Rate vs VOUT Step
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
5
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B7Y-EY | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| EBC08DRTS-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| 1-1589455-3 | CONN PLUG 9POS 30AWG 9IN |
| VI-B7Y-EW | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W |
| RCC05DRXS-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
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