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参数资料
| 型号： | S29AL032D70BAE002 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的CMOS 3.0伏只闪存 |
| 文件页数： | 61/69页 |
| 文件大小： | 1970K |
| 代理商： | S29AL032D70BAE002 |
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S29AL032D
S29AL032D_00_A3 June 13, 2005
Advan ce
In form ati o n
Erase and Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25
°C, VCC = 3.0 V, 100,000 cycles, checkerboard
data pattern.
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7 V, 1,000,000 cycles.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most
bytes program faster than the maximum program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program
command. See Table 17 for further information on command definitions.
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles per sector.
TSOP and BGA Pin Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
Parameter
Typ (Note 1)
Max (Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.7
10
s
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time
45
s
Byte Programming Time
9
300
s
Excludes system level
overhead (Note 5)
Word Programming Time
11
360
s
Accelerated Byte/Word Programming
Time
7
210
s
Chip Programming Time
Byte Mode
36
108
s
Word Mode
24
72
s
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Package
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
TSOP
6
7.5
pF
BGA
4.2
5.0
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
TSOP
8.5
12
pF
BGA
5.4
6.5
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
TSOP
7.5
9
pF
BGA
3.9
4.7
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29AL032D90TFI042 | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| S29AL032D90TFI043 | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| S29CD016G0JDEI004 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
| S29CD016G0JDEI007 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
| S29CD032J1JFAI122 | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29AL032D70BAI000 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 32Mbit 4M x 8bit 70ns 48-Pin FBGA Tray |
| S29AL032D70BAI030 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin FBGA Tray |
| S29AL032D70BAI032 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin FBGA T/R |
| S29AL032D70BFI000 | 功能描述:闪存 32MB 闪存 3V 70ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29AL032D70BFI030 | 功能描述:闪存 32MB 闪存 3V 70ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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