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参数资料
| 型号： | S29GL032N90BFI32 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | 8.15 X 6.15 MM, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件页数： | 32/81页 |
| 文件大小： | 3095K |
| 代理商： | S29GL032N90BFI32 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页
38
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_01_12 October 29, 2008
Da ta
Sh e e t
Note
CFI data related to VCC and time-outs may differ from actual VCC and time-outs of the product. Please consult the Ordering Information
tables to obtain the VCC range for particular part numbers. Please consult the Erase and Programming Performance table for typical timeout
specifications.
Table 9.2 System Interface String
Addresses (x16)
Addresses (x8)
Data
Description
1Bh
36h
0027h
VCC Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
38h
0036h
VCC Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
3Ah
0000h
VPP Min. voltage (00h = no VPP pin present)
1Eh
3Ch
0000h
VPP Max. voltage (00h = no VPP pin present)
1Fh
3Eh
0007h
Reserved for future use
20h
40h
0007h
Typical timeout for Min. size buffer write 2
N s
(00h = not supported)
21h
42h
000Ah
Typical timeout per individual block erase 2N ms
22h
44h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2
N ms (00h = not supported)
23h
46h
0003h
Max. timeout for byte/word program 2N times typical.
24h
48h
0005h
Max. timeout for buffer write 2N times typical
25h
4Ah
0004h
Max. timeout per individual block erase 2
N times typical
26h
4Ch
0000h
Max. timeout for full chip erase 2N times typical
(00h = not supported)
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PDF描述 |
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