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参数资料
| 型号： | S29GL032N90BFI32 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | 8.15 X 6.15 MM, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件页数： | 33/81页 |
| 文件大小： | 3095K |
| 代理商： | S29GL032N90BFI32 |
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October 29, 2008 S29GL-N_01_12
S29GL-N MirrorBit Flash Family
39
Data
She e t
Table 9.3 Device Geometry Definition
Addresses (x16)
Addresses (x8)
Data
Description
27h
4Eh
00xxh
Device Size = 2N byte
0017h = 64 Mb, 0016h = 32 Mb
28h
29h
50h
52h
000xh
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
0001h = x16-only bus devices
0002h = x8/x16 bus devices
2Ah
2Bh
54h
56h
0005h
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2N
(00h = not supported)
2Ch
58h
00xxh
Number of Erase Block Regions within device (01h = uniform device,
02h = boot device)
2Dh
2Eh
2Fh
30h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
00xxh
000xh
00x0h
000xh
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
007Fh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (01, 02, 06, 07, V1, V2, V6, V7)
0007h, 0000h, 0020h, 0000h = 64 Mb (03, 04)
003Fh, 0000h, 0000h, 0001h = 32 Mb (01, 02, V1, V2)
0007h, 0000h, 0020h, 0000h = 32 Mb (03, 04)
31h
32h
33h
34h
60h
64h
66h
68h
00xxh
0000h
000xh
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
0000h, 0000h, 0000h, 0000h = 64 Mb (01, 02, 06, 07, V1, V2, V6, V7)
007Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (03, 04)
0000h, 0000h, 0000h, 0000h = 32 Mb (01, 02, V1, V2)
003Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 32 Mb (03, 04)
35h
36h
37h
38h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
0000h
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
72h
74h
76h
78h
0000h
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2A | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2B | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2C1R-1-5-H | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.7 dB INSERTION LOSS |
| S2D | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2G | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL032N90DFI020 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:260 |
| S29GL032N90DFI023 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:1 |
| S29GL032N90FAI030 | 制造商:Spansion 功能描述:IC, FLASH - Trays |
| S29GL032N90FAI040 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29GL032N90FFI010 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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