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参数资料
| 型号： | S29GL032N90BFI32 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | 8.15 X 6.15 MM, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件页数： | 66/81页 |
| 文件大小： | 3095K |
| 代理商： | S29GL032N90BFI32 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页当前第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页
October 29, 2008 S29GL-N_01_12
S29GL-N MirrorBit Flash Family
69
Data
She e t
Figure 15.7 Chip/Sector Erase Operation Timings
Notes
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status on page 55.)
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 15.8 Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
Note
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
OE#
CE#
Addresses
VCC
WE#
Data
2AAh
SA
tAH
tWP
tWC
tAS
tWPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
tDS
tVCS
tCS
tDH
55h
tCH
In
Progress
Complete
tWHWH2
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
tRB
tBUSY
WE#
CE#
OE#
High Z
tOE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
tBUSY
Complement
True
Addresses
VA
tCH
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
tACC
tCE
tOEH
tDF
tOH
tRC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2A | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2B | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2C1R-1-5-H | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.7 dB INSERTION LOSS |
| S2D | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL032N90DFI020 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:260 |
| S29GL032N90DFI023 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:1 |
| S29GL032N90FAI030 | 制造商:Spansion 功能描述:IC, FLASH - Trays |
| S29GL032N90FAI040 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29GL032N90FFI010 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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