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参数资料
| 型号： | S29GL032N90BFI32 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封装： | 8.15 X 6.15 MM, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件页数： | 54/81页 |
| 文件大小： | 3095K |
| 代理商： | S29GL032N90BFI32 |
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S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_01_12 October 29, 2008
Da ta
Sh e e t
Figure 10.6 Toggle Bit Algorithm
Note
The system should recheck the toggle bit even if DQ5 = 1 because the toggle bit may stop toggling as DQ5 changes to 1. See the
subsections on DQ6 and DQ2 for more information.
10.14 DQ2: Toggle Bit II
The “Toggle Bit II” on DQ2, when used with DQ6, indicates whether a particular sector is actively erasing (that
is, the Embedded Erase algorithm is in progress), or whether that sector is erase-suspended. Toggle Bit II is
valid after the rising edge of the final WE# pulse in the command sequence.
DQ2 toggles when the system reads at addresses within those sectors that were selected for erasure. (The
system may use either OE# or CE# to control the read cycles.) But DQ2 cannot distinguish whether the
sector is actively erasing or is erase-suspended. DQ6, by comparison, indicates whether the device is
actively erasing, or is in Erase Suspend, but cannot distinguish which sectors are selected for erasure. Thus,
both status bits are required for sector and mode information. Refer to Table 10.5 on page 60 to compare
outputs for DQ2 and DQ6.
START
No
Yes
DQ5 = 1?
No
Yes
Toggle Bit
= Toggle?
No
Program/Erase
Operation Not
Complete, Write
Reset Command
Program/Erase
Operation Complete
Read DQ7–DQ0
Toggle Bit
= Toggle?
Read DQ7–DQ0
Twice
Read DQ7–DQ0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2A | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2B | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2C1R-1-5-H | 4000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.7 dB INSERTION LOSS |
| S2D | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
| S2G | SURFACE MOUNT RECTIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL032N90DFI020 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:260 |
| S29GL032N90DFI023 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（9x9） 标准包装:1 |
| S29GL032N90FAI030 | 制造商:Spansion 功能描述:IC, FLASH - Trays |
| S29GL032N90FAI040 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29GL032N90FFI010 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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