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参数资料
| 型号： | SI3529DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，1.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3529DV
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ. a
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
40
- 40
40
- 40
- 5.4
3.7
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
1
-1
3
-3
100
- 100
V
nA
V DS = 40 V, V GS = 0 V
N-Ch
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = - 40 V, V GS = 0 V
V DS = 40 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
N-Ch
-1
10
μA
V DS = - 40 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
- 10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS = 5 V, V GS = 10 V
V DS = - 5 V, V GS = - 10 V
V GS = 10 V, I D = 2.2 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
10
-6
0.100
0.125
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = - 10 V, I D = - 1.7 A
V GS = 4.5 V, I D = 1.9 A
P-Ch
N-Ch
0.172
0.130
0.215
0.165
Ω
V GS = - 4.5 V, I D = - 1.4 A
P-Ch
0.268
0.335
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 15 V, I D = 2.2 A
V DS = - 15 V, I D = - 3.6 A
N-Ch
P-Ch
2
1.3
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
N-Channel
V DS = 20 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
P-Channel
V DS = - 20 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 20 V, V GS = 10 V, I D = 2.25 A
V DS = - 20 V, V GS = - 10 V, I D = - 1.7 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
205
175
33
35
17
21
4.6
4.8
2.2
7.0
7.2
3.3
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Gate Resistance
Q gs
Q gd
R g
N-Channel
V DS = 20 V, V GS = 4.5 V, I D = 2.25 A
P-Channel
V DS = - 20 V, V GS = - 4.5 V, I D = - 1.8 A
f = 1 MHz
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
2.3
1.0
0.8
0.9
1.1
2.7
12.0
3.5
4.1
nC
Ω
www.vishay.com
2
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
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