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参数资料
| 型号： | SI3529DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，1.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3529DV
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
P DM
t 1
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 120 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
www.vishay.com
7
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PDF描述 |
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