- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录509 > SI3529DV-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3529DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，1.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3529DV
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
4
V GS = 10 V thru 5 V
8
3
6
4V
T C = 125 °C
2
4
1
25 °C
2
- 55 °C
3V
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
0.25
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
280
210
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.15
V GS = 4.5 V
140
0.10
V GS = 10 V
70
0.05
0.00
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
8
16
24
32
40
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 2.25 A
8
2.0
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 2.2 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
V DS = 32 V
1.4
1.1
0.8
0.5
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3812DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| SI3853DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP |
| SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP |
| SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP |
| SI3909DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3529DV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP |
| Si3540 | 功能描述:电机驱动器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 电机驱动类型:2035 Step 电源电压:12 V to 35 V 功率额定值:70 W 每转步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA): |
| SI-3552 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3552DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3552DV_05 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。