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参数资料
| 型号： | SI3529DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，1.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3529DV
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.35
I D = 2.0 A
0.28
T J = 150 °C
0.21
1
0.14
0.01
T J = 25 °C
0.07
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
6
0.0
- 0.2
I D = 250 μA
4
- 0.4
2
- 0.6
- 0.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 μs
100 μs
1
1 ms
10 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
DC
100 ms
1s
10 s
100 s
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
www.vishay.com
5
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