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参数资料
| 型号： | SI3529DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，1.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 205pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3529DV
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
10.0
0.90
0.80
0.70
1.0
0.1
0.0
I AV (A) at T A = 150 °C
I AV (A) at T A = 25 °C
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
25
50
75
100
125
150
T A - Time in Avalanche (s)
Single Pulse Avalanche Capability
T C - Case Temperature (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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