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参数资料
| 型号： | SI7872DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7872DP-T1-GE3DKR |
Si7872DP
Vishay Siliconix
MOSFET CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
25
20
15
10
V GS = 10 thru 5 V
4V
30
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
3V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.040
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-Source Voltage (V )
Transfer Characteristics
0.030
V GS = 4.5 V
960
720
C iss
0.020
V GS = 10 V
480
C oss
0.010
0.000
240
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1 .8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 7.5 A
1 .6
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
1 .4
6
1 .2
4
1 .0
2
0
0 .8
0 .6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 72035
S-82116-Rev. C, 08-Sep-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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