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参数资料
| 型号： | SI7872DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7872DP-T1-GE3DKR |
Si7872DP
Vishay Siliconix
MOSFET CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1 . Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P D M Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
1 0
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
8
Document Number: 72035
S-82116-Rev. C, 08-Sep-08
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