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参数资料
| 型号： | SI7872DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7872DP-T1-GE3DKR |
Si7872DP
Vishay Siliconix
MOSFET CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS
30
V GS = 10 thru 4 V
25
20
3V
15
10
25 °C, unless otherwise noted
30
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
0
5
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.040
0.032
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
1600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.024
0.016
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
800
0.008
0.000
400
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 15 V
I D = 7.5 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
8
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
7 5
100
125
150
www.vishay.com
6
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 72035
S-82116-Rev. C, 08-Sep-08
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| SI7880ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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