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参数资料
| 型号： | SI7872DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7872DP-T1-GE3DKR |
Si7872DP
Vishay Siliconix
MOSFET CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
0.06
0.05
0.04
T J = 150 °C
0.03
I D = 7.5 A
1
0.02
T J = 25 °C
0.01
0 .1
0.00
0 .0
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
1 .2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
0.0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0.8
20
0
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
T J - T emperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
1 ms
10 ms
1
I D(on)
Limited
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
BV DS S Limited
100 ms
1s
10 s
DC
0 .1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Foot
www.vishay.com
4
Document Number: 72035
S-82116-Rev. C, 08-Sep-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI7880ADP-T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel |
| SI7880ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7880ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7880DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7882DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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